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Descrição: DIODE GEN PROPÓSITO

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 50 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Pacote:
BULK
Série:
A partir de 1 de janeiro de 2017
Capacidade @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6643
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 50 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Pacote:
BULK
Série:
A partir de 1 de janeiro de 2017
Capacidade @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
6 ns
Mfr:
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Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N6643
1N6643
Diodo 50 V 300 mA através do buraco DO-35 (DO-204AH)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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