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VS-EBU8006HF4
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 80A POWERTAB

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
8 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.53 V @ 80 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowerTab®
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
PowerTab®
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
80A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
EBU8006
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
8 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.53 V @ 80 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowerTab®
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
PowerTab®
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
80A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
EBU8006
VS-EBU8006HF4
Diodo 600 V 80 A montado no chassi PowerTab®

Tags:

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