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Casa > produtos > Componentes eletrônicos CI > AIDW10S65C5XKSA1
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AIDW10S65C5XKSA1
AIDW10S65C5XKSA1

AIDW10S65C5XKSA1

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Descrição: DIODO SIC CARB 650V 10A TO247-3

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Obsoletos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automotivo, AEC-Q100/101, CoolSiC™
Capacidade @ Vr, F:
303pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-3-41
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
AIDW10
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Obsoletos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automotivo, AEC-Q100/101, CoolSiC™
Capacidade @ Vr, F:
303pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-3-41
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
AIDW10
AIDW10S65C5XKSA1
Diodo 650 V 10A através do buraco PG-TO247-3-41

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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