Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1.25 V @ 1 A |
Pacote: |
Tape & Reel (TR) |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
- |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
PowerMITE |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
50 ns |
Mfr: |
Tecnologia de microchip |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-55°C ~ 150°C |
Embalagem / Caixa: |
DO-216AA |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
200 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
2A |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
UPR20 |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
Tipo de montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1.25 V @ 1 A |
Pacote: |
Tape & Reel (TR) |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
- |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
PowerMITE |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
50 ns |
Mfr: |
Tecnologia de microchip |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-55°C ~ 150°C |
Embalagem / Caixa: |
DO-216AA |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
200 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
2A |
Velocidade: |
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
UPR20 |