logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produtos
produtos

1N3595-1E3

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Obtenha o melhor preço
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 nA @ 125 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 200 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N3595
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 nA @ 125 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 200 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
125 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N3595
1N3595-1E3
Diodo 125 V 150 mA através do buraco DO-35 (DO-204AH)