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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N648

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Descrição: DIODE GEN PURP 500V DO35

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 400 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
500 V
Corrente - média rectificada (Io):
-
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 400 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
500 V
Corrente - média rectificada (Io):
-
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N648
Diodo de 500 V através do buraco DO-35 (DO-204AH)