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IDK09G65C5XTMA2

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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 9A TO263-2

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1,6 mA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,8 V @ 9 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
270 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO263-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
9A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDK09G65
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1,6 mA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,8 V @ 9 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
270 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO263-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
9A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDK09G65
IDK09G65C5XTMA2
Diodo 650 V 9A Montador de superfície PG-TO263-2