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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N4150-1

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Descrição: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Descontinuado na Digi-Key
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
740 mV @ 10 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/231
Capacidade @ Vr, F:
2.5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Soluções Tecnológicas MACOM
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Descontinuado na Digi-Key
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
740 mV @ 10 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/231
Capacidade @ Vr, F:
2.5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Soluções Tecnológicas MACOM
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTX1N4150-1
Diodo 50 V 300 mA através do buraco DO-35