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ISL9R30120G2
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ISL9R30120G2

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1,2KV 30A TO247-2

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Obsoletos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
3.3 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
StealthTM
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
100 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
30A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
ISL9R30120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Obsoletos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
3.3 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
StealthTM
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
100 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Padrão
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
30A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
ISL9R30120
ISL9R30120G2
Diodo 1200 V 30A através do buraco TO-247-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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