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VS-20ATS12-M3
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220-3

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-3
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
20ATS12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-3
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
20ATS12
VS-20ATS12-M3
Diodo 1200 V 20A através do buraco TO-220-3

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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