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VS-8EWS12STRR-M3
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,1 V @ 8 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-PAK (TO-252AA)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
8EWS12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,1 V @ 8 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-PAK (TO-252AA)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
8EWS12
VS-8EWS12STRR-M3
Diodo 1200 V 8A montado na superfície D-PAK (TO-252AA)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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