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SF2008PTH

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 20A a 247AD

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.9 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
175 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AD (TO-3P)
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SF2008
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.9 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
175 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AD (TO-3P)
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SF2008
SF2008PTH
Diodo 600 V 20A através do buraco TO-247AD (TO-3P)