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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4154/TR

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Descrição: DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 25 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 30 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
2 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
35 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 25 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 30 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
2 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
35 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
1N4154/TR
Diodo 35 V 200mA através do buraco DO-35