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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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WNSC04650T6J

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Descrição: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
141 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
5-DFN (8x8)
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores de WeEn
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
Almofada Exposta 4-VSFN
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
WNSC0
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
141 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
5-DFN (8x8)
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores de WeEn
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
Almofada Exposta 4-VSFN
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
WNSC0
WNSC04650T6J
Diodo 650 V 4A Montador de superfície 5-DFN (8x8)