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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FN

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.8 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FN
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-3 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
RFUS20
Categoria:
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Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.8 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FN
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
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Tecnologia:
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Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-3 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
RFUS20
RFUS20TM6S
Diodo 600 V 20A através do buraco TO-220FN

Tags:

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