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ISL9R18120S3ST
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ISL9R18120S3ST

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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A D2PAK

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Obsoletos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
3.3 V @ 18 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
StealthTM
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D²PAK (TO-263)
Tempo de recuperação inverso (trr):
300 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
18A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
ISL9R18120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Obsoletos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
3.3 V @ 18 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
StealthTM
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D²PAK (TO-263)
Tempo de recuperação inverso (trr):
300 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
18A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
ISL9R18120
ISL9R18120S3ST
Diodo 1200 V 18A Montagem em Superfície D²PAK (TO-263)

Tags:

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