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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FESF8DTHE3_A/P

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ITO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2 Pacote completo, comprimido isolado
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
FESF8
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ITO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2 Pacote completo, comprimido isolado
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
FESF8
FESF8DTHE3_A/P
Diodo 200 V 8A através do buraco ITO-220AC