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A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar um relatório sobre a aplicação do presente regulamento.

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

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Descrição do produto

Destacar:

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos	Estatuto do produto:	Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:	10 μA @ 100 V	Tipo de Montagem:	Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):	1.3 V @ 20 A	Pacote:	Tape & Reel (TR)
Série:	-	Capacidade @ Vr, F:	-
Pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-263AB (D2PAK)	Tempo de recuperação inverso (trr):	25 ns
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos	Tecnologia:	Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:	-65°C ~ 150°C	Embalagem / Caixa:	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	100 V	Corrente - média rectificada (Io):	8A
Velocidade:	Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número do produto de base:	BYWB29

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:	Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:	10 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:	Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):	1.3 V @ 20 A
Pacote:	Tape & Reel (TR)
Série:	-
Capacidade @ Vr, F:	-
Pacote de dispositivos do fornecedor:	TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):	25 ns
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:	Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:	-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	100 V
Corrente - média rectificada (Io):	8A
Velocidade:	Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:	BYWB29