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VS-E5TX0812THN3
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VS-E5TX0812THN3

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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1,2 KV 8A TO220AC

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
3.4 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
55 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
3.4 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
55 ns
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
VS-E5TX0812THN3
Diodo 1200 V 8A através do buraco TO-220AC

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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