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FESB8ATHE3_A/P
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: Diodo GEN PURP 50V 8A TO263AB

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
85 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
85 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
FESB8ATHE3_A/P
Diodo 50 V 8A montado na superfície TO-263AB (D2PAK)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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