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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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EX.: 1AV1

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2 V @ 600 mA
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Tempo de recuperação inverso (trr):
100 ns
Mfr:
Sanken Electric EUA Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
600 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
EG 1
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2 V @ 600 mA
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Tempo de recuperação inverso (trr):
100 ns
Mfr:
Sanken Electric EUA Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
600 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
EG 1
EX.: 1AV1
Diodo 600 V 600 mA através de um buraco