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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SFA808G

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SFA808
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SFA808
SFA808G
Diodo 600 V 8A através do buraco TO-220AC