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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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QH03BZ600

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Descrição: Diodo GEN PURP 600V 3A TO263AB

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
250 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
3 V @ 3 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
QvelocidadeTM
Capacidade @ Vr, F:
11pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB
Tempo de recuperação inverso (trr):
9.8 ns
Mfr:
Integrações de poder
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
250 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
3 V @ 3 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
QvelocidadeTM
Capacidade @ Vr, F:
11pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB
Tempo de recuperação inverso (trr):
9.8 ns
Mfr:
Integrações de poder
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
QH03BZ600
Diodo 600 V 3A montado na superfície TO-263AB