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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SF2004G

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AB

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
975 mV @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
80pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AB
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SF2004
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
975 mV @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
80pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AB
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SF2004
SF2004G
Diodo 200 V 20A através do buraco TO-220AB