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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N914

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Descrição: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 75 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 50 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/116
Capacidade @ Vr, F:
20,8 pF @ 1,5 V, 1 MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
75 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N914
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 75 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 50 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/116
Capacidade @ Vr, F:
20,8 pF @ 1,5 V, 1 MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo de recuperação inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
75 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N914
JAN1N914
Diodo 75 V 200 mA através do buraco DO-35 (DO-204AH)