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GAP3SLT33-220FP
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Descrição: DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 3300 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 300 mA
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
42 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FP
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
3300 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GAP3SLT33
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 3300 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 300 mA
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
42 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FP
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
3300 V
Corrente - média rectificada (Io):
300 mA
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GAP3SLT33
GAP3SLT33-220FP
Diodo 3300 V 300mA através do buraco TO-220FP

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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