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G3S06504A
G3S06504A

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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: Diodo SIC 650V 11,5A TO220AC

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Pacote:
Caixa e fita (TB) Caixa
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
181pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologia Global de Energia - GPT
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
11.5A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Pacote:
Caixa e fita (TB) Caixa
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
181pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
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-55°C ~ 175°C
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
11.5A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
G3S06504A
Diodo 650 V 11.5A através do buraco TO-220AC

Tags:

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