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GE04MPS06E
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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Descontinuado na Digi-Key
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.35 V @ 4 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Digi-Reel®
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
186pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
11A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Descontinuado na Digi-Key
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.35 V @ 4 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Digi-Reel®
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
186pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
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Tecnologia:
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Temperatura de funcionamento - Junção:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
11A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
GE04MPS06E
Diodo 650 V 11A Monte de superfície TO-252-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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