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GC50MPS06-247
GC50MPS06-247

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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GC50MPS06
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GC50MPS06
GC50MPS06-247
Diodo 650 V 50A através do buraco TO-247-2

Tags:

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