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Casa > produtos > Componentes eletrônicos CI > GD30MPS06H
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GD30MPS06H
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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
735 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
49A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GD30MPS06
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
735 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
49A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GD30MPS06
GD30MPS06H
Diodo 650 V 49A através do buraco TO-247-2

Tags:

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