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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GC50MPS33H

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Descrição: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
3300 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
3300 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
GC50MPS33H
Diodo 3300 V 50A através do buraco TO-247-2