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Descrição: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
69pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SMB (DO-214AA)
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-214AA, SMB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
2.5A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GB01SLT12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
69pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SMB (DO-214AA)
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
2.5A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GB01SLT12
O número de unidades de produção deve ser igual ou superior a:
Diodo 1200 V 2.5A Montagem em Superfície SMB (DO-214AA)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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