Detalhes do produto
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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | Estatuto do produto: | Atividade | Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 10 μA @ 50 V | Tipo de Montagem: | Chassi, montador de pernas | Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 12 A | Pacote: | BULK | Série: | - | Capacidade @ Vr, F: | - | Pacote de dispositivos do fornecedor: | DO-4 | Mfr: | Semicondutor GeneSiC | Tecnologia: | Padrão | Temperatura de funcionamento - Junção: | -65°C ~ 175°C | Embalagem / Caixa: | DO-203AA, DO-4, Stud | Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 100 V | Corrente - média rectificada (Io): | 12A | Velocidade: | Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) | 
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | 
| Estatuto do produto: | Atividade | 
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 10 μA @ 50 V | 
| Tipo de Montagem: | Chassi, montador de pernas | 
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 12 A | 
| Pacote: | BULK | 
| Série: | - | 
| Capacidade @ Vr, F: | - | 
| Pacote de dispositivos do fornecedor: | DO-4 | 
| Mfr: | Semicondutor GeneSiC | 
| Tecnologia: | Padrão | 
| Temperatura de funcionamento - Junção: | -65°C ~ 175°C | 
| Embalagem / Caixa: | DO-203AA, DO-4, Stud | 
| Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 100 V | 
| Corrente - média rectificada (Io): | 12A | 
| Velocidade: | Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) |