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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GB01SLT06-214

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Descrição: DIODO SIC CARB 650V 1A DO214AA

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 µA @ 6,5 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
76pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-214AA
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-214AA, SMB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GB01SLT06
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 µA @ 6,5 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
76pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-214AA
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-214AA, SMB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GB01SLT06
GB01SLT06-214
Diodo 650 V 1A Montador de superfície DO-214AA