Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODO SIC CARB 650V 1A DO214AA
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
10 µA @ 6,5 V |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
2 V @ 1 A |
Pacote: |
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel® |
Série: |
SiC Schottky MPSTM |
Capacidade @ Vr, F: |
76pF @ 1V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
DO-214AA |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
0 n |
Mfr: |
Semicondutor GeneSiC |
Tecnologia: |
Sic (carboneto de silicone) Schottky |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-55°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
DO-214AA, SMB |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
1A |
Velocidade: |
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io) |
Número do produto de base: |
GB01SLT06 |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
10 µA @ 6,5 V |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
2 V @ 1 A |
Pacote: |
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel® |
Série: |
SiC Schottky MPSTM |
Capacidade @ Vr, F: |
76pF @ 1V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
DO-214AA |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
0 n |
Mfr: |
Semicondutor GeneSiC |
Tecnologia: |
Sic (carboneto de silicone) Schottky |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-55°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
DO-214AA, SMB |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
650 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
1A |
Velocidade: |
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io) |
Número do produto de base: |
GB01SLT06 |