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GD30MPS12H
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
1101pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
55A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
1101pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
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-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
55A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
GD30MPS12H
Diodo 1200 V 55A através do buraco TO-247-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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