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Descrição: DIODO SIL CARBIDE 300V 4A TO46

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 300 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
76pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-46
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 225°C
Embalagem / Caixa:
TO-206AB, TO-46-3 Lata de metal
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
300 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GB02SHT03
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 300 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 1 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
76pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-46
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 225°C
Embalagem / Caixa:
TO-206AB, TO-46-3 Lata de metal
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
300 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
GB02SHT03
O número de veículos deve ser indicado.
Diodo 300 V 4A através do buraco TO-46