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Uma vez que o número de unidades de comando é igual a 0,01

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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Pacote:
Tubos
Série:
Gen-III
Capacidade @ Vr, F:
118 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Qorvo
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
Uma vez que o número de unidades de carga é igual a 0,01
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Pacote:
Tubos
Série:
Gen-III
Capacidade @ Vr, F:
118 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Qorvo
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
Uma vez que o número de unidades de carga é igual a 0,01
Uma vez que o número de unidades de comando é igual a 0,01
Diodo 650 V 4A através do buraco TO-220-2