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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GD60MPS17H

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Descrição: DIODO SIL CARB 1.7KV 122A TO247

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 1700 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 60 A
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
4577pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1700 V
Corrente - média rectificada (Io):
122a
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
GD60
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 1700 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 60 A
Pacote:
Tubos
Série:
SiC Schottky MPSTM
Capacidade @ Vr, F:
4577pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Mfr:
Semicondutor GeneSiC
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1700 V
Corrente - média rectificada (Io):
122a
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
GD60
GD60MPS17H
Diodo 1700 V 122A através do buraco TO-247-2