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Descrição: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 6 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
100 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
R-6
Mfr:
Tecnologia com chip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 125°C
Embalagem / Caixa:
R-6, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
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50 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
6A005B-G
Diodo 50 V 6A através do buraco R-6

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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