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1N5407-G
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-27 (DO-201AD)
Mfr:
Tecnologia com chip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 125°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5407
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-27 (DO-201AD)
Mfr:
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Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
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Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5407
1N5407-G
Diodo 800 V 3A através do buraco DO-27 (DO-201AD)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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