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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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P1000J

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 10A P600

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.05 V @ 10 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
P600
Tempo de recuperação inverso (trr):
1,5 µs
Mfr:
Diotec Semicondutor
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-50°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.05 V @ 10 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
P600
Tempo de recuperação inverso (trr):
1,5 µs
Mfr:
Diotec Semicondutor
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-50°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
P1000J
Diodo 600 V 10A através do buraco P600