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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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P1200B

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 12A P600

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 12 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
P600
Mfr:
Diotec Semicondutor
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-50°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
12A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 12 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
P600
Mfr:
Diotec Semicondutor
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-50°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
12A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
P1200B
Diodo 100 V 12A através do buraco P600