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Descrição: DIODE GEN PURP 1,2KV 6A P600

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 6 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
P600
Tempo de recuperação inverso (trr):
1,5 µs
Mfr:
Diotec Semicondutor
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-50°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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Estatuto do produto:
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Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 6 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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1,5 µs
Mfr:
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-50°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
P600S
Diodo 1200 V 6A através do buraco P600

Tags:

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