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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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DHG10I1800PA

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Descrição: DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 µA @ 1800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.23 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
3pF @ 900V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
300 ns
Mfr:
IXYS
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1800 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
DHG10
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 µA @ 1800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.23 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
3pF @ 900V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
300 ns
Mfr:
IXYS
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1800 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
DHG10
DHG10I1800PA
Diodo 1800 V 10A através do buraco TO-220AC