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DSEI60-12A
DSEI60-12A

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Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 52A a 247AD

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2.2 mA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.55 V @ 60 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
IXYS
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
52A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
DSEI60
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2.2 mA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.55 V @ 60 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
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Tecnologia:
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-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
52A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
DSEI60
DSEI60-12A
Diodo 1200 V 52A através do buraco TO-247AD

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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