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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO262

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 2200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.26 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
7pF @ 700V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-262 (I2PAK)
Mfr:
IXYS
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-262-2, I2Pak
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
2200 V
Corrente - média rectificada (Io):
30A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
DNA30ER2200
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 2200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.26 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
7pF @ 700V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-262 (I2PAK)
Mfr:
IXYS
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-262-2, I2Pak
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
2200 V
Corrente - média rectificada (Io):
30A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
DNA30ER2200
DNA30ER2200IY
Diodo 2200 V 30A através do buraco TO-262 (I2PAK)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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