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1N5408G
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2.5 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD (DO-27)
Mfr:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AA, DO-27, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2.5 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 3 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD (DO-27)
Mfr:
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5408G
Diodo 1000 V 3A através do buraco DO-201AD (DO-27)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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