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Descrição: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
690pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DPAK
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologia com chip
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
CDBDSC10650
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
690pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DPAK
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
CDBDSC10650
Classificação dos produtos
Diodo 650 V 10A montado na superfície DPAK

Tags:

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