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MEO550-02DA
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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 mA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 520 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Y4-M6
Tempo de recuperação inverso (trr):
200 ns
Mfr:
IXYS
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Y4-M6
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
582A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MEO550
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 mA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.25 V @ 520 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
200 ns
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
582A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MEO550
MEO550-02DA
Diodo 200 V 582A Monte do chassi Y4-M6

Tags:

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