logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produtos
produtos

NSB8MT-E3/45

Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Obtenha o melhor preço
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,1 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
55pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
NSB8
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,1 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
55pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
NSB8
NSB8MT-E3/45
Diodo 1000 V 8A montado na superfície TO-263AB (D2PAK)